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        我国核心技术创新发展的条件与制约

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        我国核心技术创新发展的条件与制约

        发布日期:2016-11-24 18:08 来源:http://www.bottegabistro.com 点击:

        我国核心技术起步较晚,基础薄弱,现有积累源自三条主线。一是在全球分工体系中积累上升。过去几十年间,我国在整机信息产品中由简单加工走向系统集成、品牌生产、自主设计,技术能力顺次延续至计算、显示等核心部件。通信/计算机设备产能位于全球首位,今年前三个季度,我国共生产手机15亿部、移动通信基站设备2.67亿信道、微型计算机设备2.04亿台。CPU高端芯片架构设计能力、移动SoC芯片的设计与制造能力均得到显著提升,TFT-LCD制造工艺有了大幅度进步,带动电子元器件行业生产增速有所加快,前三季度共生产电子元件26740亿只,同比增长了6%。涵盖了如SMD功率电感器,塑封绕线片式电感器,有机实芯电阻器等各种产品。


        二是抓住桌面互联网、移动互联网两次产业转型机遇。我国企业盘活互联网、移动互联网创新机制,大力发展自主通信标准和商用网络,在移动通信、互联网架构、大数据处理、高性能计算等领域形成了一批系统级创新技术。其中,十亿亿次超级计算机、固定与移动国产通信设备已达到国际领先水平,TD-SCDMA、TD-LTE已成为第3代和第4代移动通信国际标准之一。


        三是在特有领域和核心学科中开展长期自研与应用实践。近十年来,我国在微电子(集成电路)、光电子(显示)等基础学科中保持了相对集中的科技投入,在军工、航天、电力、铁路交通和通信领域形成了大量的自研标准与应用成果,在部分关键领域核心芯片、北斗导航、空天地一体化通信等重要技术上取得突破,逐步建立了集成电路、新型显示等基础材料的供给能力,并开展了量子通信、碳纳米材料等前沿研究。


        但是,核心技术具有较强的历史继承性和体系化创新特点,少数国家已经形成了多领域优势技术基因,并不断嫁接优化重组,巩固有利局面,我国核心信息技术受制于人的局面并没有得到根本改变。目前国内制造工艺落后国外两代,CPU专用和高性能制造工艺尚处于起步阶段,面向服务器和PC的国产CPU产品对外依赖性依然较高,高端IP的缺乏难以支撑设计和制造发展的需求,孤立的CPU生态环境基础薄弱且成熟缓慢。此外,在高性能存储、高速AD/DA、中高端FPGA、DSP、光器件的制备能力和水平上,整体落后于国际先进水平,存在大量短板。


        相关标签:有机实芯电阻器

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